| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
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PHB191NQ06LT,118 |
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | NXP Semiconductors | 1768 | 电话：0755-83217923 询价QQ：  |
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PHB191NQ06LT,118参数 产品类别：分立半导体产品-FET - 单 说明：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 包装数量：800 包装形式：带卷 (TR) PDF资料下载：  PDF文档FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源极电压 (Vdss)：55V 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：75A 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：3.7 毫欧 @ 25A，10V 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：95.6nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：7665pF @ 25V 功率 - 最大值：300W 安装类型：表面贴装 |
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热门型号： 振荡器ASEMPC-133.333MHZ-LR-T 晶体管(BJT) IMH10AT110 DIPS-1131A 矩形 - 触点SWPR-001T-P025 PMIC - 稳压MIC5259-3.0YMLTR 嵌入式 - FPGXC2VP70-6FFG1704C 箱PI-1906 二极管，整流器 -20CTH03STRR Card EdgeECC60DREF-S13 Card EdgeEEC25DRYN-S13 |
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